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半导体照明用光刻胶

 

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1.特别说明:

具体型号说明书及相关检测报告请前往下载中心下载。

2.应用领域:

半导体照明领域的具体应用包括:图案化蓝宝石衬底(PSS)制作;LED芯片制作等。

3. 技术参数:

半导体照明用光刻胶主要技术参数:

半导体照明用光刻胶系列主要包括:RD-2000、RD-4000、RD-6000、RD-NL700等系列,不同系列光刻胶的主要技术参数如下:

序号

产品序列

主要参数

1

RD-2000系列


水分:<0.5%颗粒(0.5um颗粒,个/ml)<100;痕量金属(KNaFeppb):<300;膜厚:1.0~3.5um;分辨率:0.8um(g-line)


2

RD-4000系列


水分:<0.5%颗粒(0.5um颗粒,个/ml)<100;痕量金属(KNaFeppb):<50;膜厚:1.0~4.5um;分辨率:0.4um(i-line曝光)


3

RD-6000系列


水分:<0.5%颗粒(0.5um颗粒,个/ml)<100;痕量金属(KNaFeppb):<100;膜厚:3.0~15um;分辨率:0.65um(i-line曝光)


4

RD-NL700系列


水分:<0.5%颗粒(0.5um颗粒,个/ml)<100;痕量金属(KNaFeppb):<500;膜厚:1.8~4.5um;倒梯形角度:45~80°;分辨率:1um(g+h+i曝光)


半导体照明用光刻胶主要技术参数:

半导体照明用光刻胶系列主要包括:RD-2000、RD-4000、RD-6000、RD-NL700等系列,不同系列光刻胶的主要技术参数如下:


序号

产品序列

主要参数

1

RD-2000系列


水分:<0.5%
颗粒(0.5um颗粒,个/ml)<100
痕量金属(KNaFeppb):<300
膜厚:1.0~3.5um
分辨率:0.8um(g-line)


2

RD-4000系列


水分:<0.5%
颗粒(0.5um颗粒,个/ml)<100
痕量金属(KNaFeppb):<50
膜厚:1.0~4.5um
分辨率:0.4um(i-line曝光)


3

RD-6000系列


水分:<0.5%
颗粒(0.5um颗粒,个/ml)<100
痕量金属(KNaFeppb):<100
膜厚:3.0~15um
分辨率:0.65um(i-line曝光)


4

RD-NL700系列

水分:<0.5%

颗粒(0.5um颗粒,个/ml)<100

痕量金属(KNaFeppb):<500

膜厚:1.8~4.5um

倒梯形角度:45~80°

分辨率:1um(g+h+i曝光)